AP120N06P
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A Power microelectronics AP120N06P

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型号

AP120N06P

utmel 编号

1604-AP120N06P

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

65V 125A 172W 4.8mΩ@10V,55A 2.8V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS

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AP120N06P A Power microelectronics 65V 125A 172W 4.8mΩ@10V,55A 2.8V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS

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AP120N06P详情

A Power microelectronics AP120N06P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • RoHS

    true

  • Drain Source Voltage (Vdss)

    65V

  • Power Dissipation (Pd)

    172W

  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

    4.8mΩ@10V,55A

  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

    2.8V@250uA

  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)

    306pF@30V

  • Input Capacitance (Ciss@Vds)

    3.135nF@30V

  • Total Gate Charge (Qg@Vgs)

    77nC@10V

  • Package

    Tube-packed

  • 操作温度

    -55℃~+150℃@(Tj)

  • 类型

    1 N-Channel

  • Continuous Drain Current (Id)

    125A

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技术文档: A Power microelectronics AP120N06P.

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