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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 APJ14N65D
APJ14N65D
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A Power microelectronics APJ14N65D

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型号

APJ14N65D

品牌

A Power microelectronics

utmel 编号

1604-APJ14N65D

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

650V 8A 25.5W 560mΩ@10V,3.2A 3.3V@250uA 1 N-Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS

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APJ14N65D
APJ14N65D A Power microelectronics 650V 8A 25.5W 560mΩ@10V,3.2A 3.3V@250uA 1 N-Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS

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APJ14N65D详情

技术参数

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A Power microelectronics APJ14N65D重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • RoHS

    true

  • Drain Source Voltage (Vdss)

    650V

  • Power Dissipation (Pd)

    25.5W

  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

    560mΩ@10V,3.2A

  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

    3.3V@250uA

  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)

    1.32pF@100V

  • Input Capacitance (Ciss@Vds)

    438pF@100V

  • Total Gate Charge (Qg@Vgs)

    11nC@10V

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    -55℃~+150℃@(Tj)

  • 类型

    1 N-Channel

  • Continuous Drain Current (Id)

    8A

0个相似型号

技术文档: A Power microelectronics APJ14N65D.

APJ14N65D拓展信息

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公司资质

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