ATF-541M4-BLK
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Broadcom Limited ATF-541M4-BLK

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型号

ATF-541M4-BLK

utmel 编号

354-ATF-541M4-BLK

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

0505 (1412 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM

起订量

1最小包装量--

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ATF-541M4-BLK
ATF-541M4-BLK Broadcom Limited IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM

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ATF-541M4-BLK详情

Broadcom Limited ATF-541M4-BLK重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    7 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    0505 (1412 Metric)

  • 引脚数

    4

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e4

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    GOLD

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 电压 - 额定直流

    3V

  • 最大功率耗散

    360mW

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    120mA

  • 频率

    2GHz

  • 基本部件号

    ATF-541M4

  • 配置

    SINGLE

  • 电源电流

    60mA

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    360mW

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 漏源电压 (Vdss)

    3V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 晶体管类型

    E-pHEMT

  • 连续放电电流(ID)

    120mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    1V

  • 增益

    17.5dB

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.12A

  • DS 击穿电压-最小值

    5V

  • 功率 - 输出

    21.4dBm

  • 场效应管技术

    高电子迁移率

  • 噪声图

    0.5dB

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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