Central Semiconductor 2N3702

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-92

引脚数

3

hFEMin

60

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-250mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

100MHz

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

625mW

包装

Bulk

已出版

2016

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

集电极发射器电压(VCEO)

-25V

最大集电极电流

100nA

转换频率

100MHz

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

-40V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

最小直流增益（hFE）

60

连续集电极电流

-500mA

RoHS状态

符合RoHS标准