Central Semiconductor 2N3716

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

800mV

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

150W

hFEMin

50

已出版

2001

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

频率

4MHz

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

150W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

4MHz

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

10A

转换频率

4MHz

频率转换

4MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

最小直流增益（hFE）

30

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅