Central Semiconductor 2N5109

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-39

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W

hFEMin

70

已出版

2011

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

1.2 GHz

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

400mA

增益

11 dB

转换频率

1200MHz

功率 - 输出

1W

频率转换

1.2GHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

连续集电极电流

400mA

最高频段

极高频率 b

集电极-基极电容-最大值

3.5pF

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅