Central Semiconductor Corp MPSH10

工厂交货时间

3 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-92

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

-65°C~150°C TJ

已出版

2012

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最大功率耗散

350mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

650MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最大集电极电流

25mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 4mA 10V

转换频率

650MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

集电极-基极电容-最大值

0.65pF

RoHS状态

符合RoHS标准