Comchip Technology 2N3906-G

工厂交货时间

10 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-400mV

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bag

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

BOTTOM

JESD-30代码

O-PBCY-T3

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 50mA

转换频率

250MHz

频率转换

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

-40V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

关断时间-最大值（toff)

300ns

接通时间-最大值(ton)

70ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant