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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 BC857BS-7-F
BC857BS-7-F
BC857BS-7-F

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Diodes Incorporated BC857BS-7-F

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型号

BC857BS-7-F

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-BC857BS-7-F

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODES INC. - BC857BS-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 220 hFE

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BC857BS-7-F
BC857BS-7-F Diodes Incorporated DIODES INC. - BC857BS-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 220 hFE

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BC857BS-7-F详情

技术参数

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型号对比

Diodes Incorporated BC857BS-7-F重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 引脚数

    6

  • 质量

    6.010099mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    -45V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    -400mV

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2007

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    6

  • 极性

    PNP

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    200mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 增益带宽积

    100MHz

  • 晶体管类型

    2 PNP (Dual)

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    45V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    220 @ 2mA 5V

  • 最大集极截止电流

    15nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    400mV @ 5mA, 100mA

  • 转换频率

    100MHz

  • 最大击穿电压

    45V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    -50V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    -5V

  • 长度

    2.2mm

  • 宽度

    1.35mm

  • 高度

    1mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Diodes Incorporated BC857BS-7-F.

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

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BC847BS-7-F

型号：BC847BS-7-F

封装：6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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库存：0

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