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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 BCM857BV-7
BCM857BV-7
BCM857BV-7

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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Diodes Incorporated BCM857BV-7

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  • 对比

型号

BCM857BV-7

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-BCM857BV-7

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT563

起订量

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BCM857BV-7
BCM857BV-7 Diodes Incorporated TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT563

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BCM857BV-7详情

技术参数

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型号对比

Diodes Incorporated BCM857BV-7重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    19 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 供应商器件包装

    SOT-563

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    45V

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • 操作温度

    -65°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2015

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    357mW

  • 功率 - 最大

    357mW

  • 晶体管类型

    2 PNP (Dual)

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    400mV

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    200 @ 2mA 5V

  • 最大集极截止电流

    15nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    400mV @ 5mA, 100mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    45V

  • 最大击穿电压

    45V

  • 频率转换

    175MHz

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Diodes Incorporated BCM857BV-7.

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

BC847BS-7-F

型号：BC847BS-7-F

封装：6-TSSOP, SC-88, SOT-363

品牌：Diodes Incorporated

库存：0

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型号：DMMT3904W-7-F

封装：6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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