Diodes Incorporated BSS8402DW-7-F

工厂交货时间

16 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

质量

6.010099mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

115mA 130mA

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

18 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

10Ohm

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

200mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

115mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BSS8402DW

引脚数量

6

资历状况

不合格

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

200mW

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.5 Ω @ 50mA, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

60V 50V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

115mA

阈值电压

2.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.13A

双电源电压

60V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

2.5 V

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

高度

1mm

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅