Diodes Incorporated DMC1229UFDB-13

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UDFN Exposed Pad

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.6A 3.8A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e4

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

1.4W

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

参考标准

AEC-Q101

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

29m Ω @ 5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

914pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

19.6nC @ 8V

漏源电压 (Vdss)

12V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

3.8A

漏极-源极导通最大电阻

0.029Ohm

DS 击穿电压-最小值

12V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant