注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.845085
10
¥4.570833
100
¥4.312109
500
¥4.068027
1000
¥3.837757
Diodes Incorporated DMC1229UFDB-7
- 收藏
- 对比
DMC1229UFDB-7
671-DMC1229UFDB-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-UDFN Exposed Pad
大陆
立即发货

MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMC1229UFDB-7详情
Diodes Incorporated DMC1229UFDB-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.6A 3.8A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
27.8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2013
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
1.4W
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
通道数量
2
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
5.7 ns
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
29m Ω @ 5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
914pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19.6nC @ 8V
上升时间
11.5ns
漏源电压 (Vdss)
12V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
26.4 ns
连续放电电流(ID)
3.8A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
高度
555μm
长度
2.08mm
宽度
2.075mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMC1229UFDB-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated








哦! 它是空的。