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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.287687
10
¥4.988381
100
¥4.706023
500
¥4.439645
1000
¥4.188343
Diodes Incorporated DMG1016VQ-7
- 收藏
- 对比
DMG1016VQ-7
671-DMG1016VQ-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-563, SOT-666
大陆
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MOSFET N/P-CH 20V SOT563
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMG1016VQ-7详情
Diodes Incorporated DMG1016VQ-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
870mA 640mA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
530mW
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
2
功率耗散
530mW
接通延迟时间
5.1 ns
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
400m Ω @ 600mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
60.67pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.74nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
连续放电电流(ID)
640mA
栅极至源极电压(Vgs)
6V
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
逻辑电平门
高度
600μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMG1016VQ-7拓展信息
Diodes Incorporated
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