Diodes Incorporated DMG5802LFX-7

工厂交货时间

16 Weeks

包装/外壳

6-VFDFN Exposed Pad

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

32.18 ns

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

980mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

980mW

接通延迟时间

3.69 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

15m Ω @ 6.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1066.4pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31.3nC @ 10V

上升时间

13.43ns

漏源电压 (Vdss)

24V

下降时间（典型值）

22.45 ns

连续放电电流(ID)

6.5A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.015Ohm

漏源击穿电压

24V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

宽度

2.1mm

长度

5.1mm

高度

800μm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅