Diodes Incorporated DMG9926USD-13

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

850.995985mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

64.8 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Digi-Reel®

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

24mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

1.3W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

DMG9926USD

引脚数量

8

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.3W

接通延迟时间

13.2 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

24m Ω @ 8.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

867pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.8nC @ 4.5V

上升时间

12.6ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

21.7 ns

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1.5mm

长度

4.95mm

宽度

3.95mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅