Diodes Incorporated DMN2230UQ-13

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Power Dissipation (Max)

600mW Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

110m Ω @ 2.5A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

188pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.3nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

连续放电电流(ID)

2A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏极-源极导通最大电阻

0.11Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant