Diodes Incorporated DMN3033LSD-13

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

850.995985mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

63 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

22mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 6.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

725pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

上升时间

7ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

6.9A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1.5mm

长度

5.3mm

宽度

4.1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅