Diodes Incorporated DMN6040SFDE-7

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UDFN Exposed Pad

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

660mW Ta

Turn Off Delay Time

20.1 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

S-PDSO-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.03W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6.6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

38m Ω @ 4.3A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1287pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22.4nC @ 10V

上升时间

8.1ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4 ns

连续放电电流(ID)

5.3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.038Ohm

漏源击穿电压

60V

宽度

2.05mm

高度

580μm

长度

2.05mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅