Diodes Incorporated DMN62D0LFB-7

工厂交货时间

16 Weeks

触点镀层

Gold

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-UFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

470mW Ta

Turn Off Delay Time

26.4 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

BOTTOM

引脚数量

3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

470mW

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

3.4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2 Ω @ 100mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

32pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.45nC @ 4.5V

上升时间

3.4ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

16.3 ns

连续放电电流(ID)

100mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

2Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

反馈上限-最大值 (Crss)

6 pF

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅