Diodes Incorporated DMN63D8LDW-7

工厂交货时间

15 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

质量

6.010099mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

12 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

300mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

DMN63D8L

参考标准

AEC-Q101

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300mW

接通延迟时间

3.3 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.8 Ω @ 250mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

22pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

870nC @ 10V

上升时间

3.2ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

6.3 ns

连续放电电流(ID)

220mA

阈值电压

1.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

4.5Ohm

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1.1mm

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅