Diodes Incorporated DMP4025LK3-13

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.7W Ta

Turn Off Delay Time

53.7 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6.9 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

25m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.8V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1643pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33.7nC @ 10V

上升时间

14.7ns

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

30.9 ns

连续放电电流(ID)

8.6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.045Ohm

漏源击穿电压

-40V

高度

2.26mm

长度

6.7mm

宽度

6.2mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅