Diodes Incorporated DMP4025LSD-13

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

73.992255mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.9A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

53.7 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

1.8W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

DMP4025LSD

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.8W

接通延迟时间

6.9 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

25m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.8V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1640pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33.7nC @ 10V

上升时间

14.7ns

漏源电压 (Vdss)

40V

下降时间（典型值）

30.9 ns

连续放电电流(ID)

-7.6A

阈值电压

-1.3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.045Ohm

漏源击穿电压

-40V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1.5mm

长度

4.95mm

宽度

3.95mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅