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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.194485
10
¥3.957062
100
¥3.733077
500
¥3.52177
1000
¥3.322426
Diodes Incorporated DMP6110SSS-13
- 收藏
- 对比
DMP6110SSS-13
671-DMP6110SSS-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET 60V P-Ch 60Vds 20Vgs FET 1030pF 19.4nC
--最小包装量--
¥
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DMP6110SSS-13详情
Diodes Incorporated DMP6110SSS-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
晶体管元件材料
SILICON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.5W Ta
Turn Off Delay Time
58.7 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
电容量
1.03nF
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
3.7 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
110m Ω @ 4.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1030pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19.4nC @ 10V
上升时间
6.3ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
26.1 ns
连续放电电流(ID)
-4.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-60V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMP6110SSS-13拓展信息
Diodes Incorporated
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