Diodes Incorporated DMT10H010LSS-13

工厂交货时间

23 Weeks

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.8V @ 250μA

Power Dissipation (Max)

1.4W Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11.5A Ta 29.5A Tc

已出版

2015

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.5m Ω @ 13A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3000pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

71nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

29.5A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

11.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.0095Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

75A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

61.5 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant