Diodes Incorporated LMN200B02-7

工厂交货时间

19 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

质量

6.010099mg

Collector-Emitter Saturation Voltage

-300mV

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

应用

负载开关

附加功能

内置偏置电阻

电压 - 额定直流

-50V

额定电流

200mA PNP 115mA N-Channel

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

115mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

LMN200

引脚数量

6

极性

PNP

配置

SINGLE WITH BUILT-IN BIPOLAR TRANSISTOR AND RESISTOR

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

PNP Pre-Biased, N-Channel Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

200mA

最高频率

200MHz

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.115A

漏极-源极导通最大电阻

2Ohm

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

集电极基极电压(VCBO)

-50V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

最小直流增益（hFE）

60

VCEsat-最大值

0.3 V

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

高度

1mm

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅