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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.004064
500
¥0.002989
1000
¥0.00249
2000
¥0.002284
5000
¥0.002135
10000
¥0.001985
15000
¥0.001921
50000
¥0.001889
Diodes Incorporated ZDM4306NTA
- 收藏
- 对比
ZDM4306NTA
671-ZDM4306NTA
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-223-8
大陆
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MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ZDM4306NTA详情
Diodes Incorporated ZDM4306NTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
包装/外壳
SOT-223-8
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
30 ns
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1997
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
10
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
60V
最大功率耗散
3W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
额定电流
1.3A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
JESD-30代码
R-PDSO-G10
资历状况
不合格
通道数量
2
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
3W
接通延迟时间
8 ns
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
25ns
漏源电压 (Vdss)
60V
极性/通道类型
N-CHANNEL
下降时间(典型值)
16 ns
连续放电电流(ID)
2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
漏源击穿电压
60V
输入电容
350pF
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
450mOhm
最大rds
330 mΩ
反馈上限-最大值 (Crss)
30 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
ZDM4306NTA拓展信息
Diodes Incorporated
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