ZDM4306NTA
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Diodes Incorporated ZDM4306NTA

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型号

ZDM4306NTA

utmel 编号

671-ZDM4306NTA

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

SOT-223-8

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8

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ZDM4306NTA
ZDM4306NTA Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8

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ZDM4306NTA详情

Diodes Incorporated ZDM4306NTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-223-8

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    30 ns

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    1997

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    10

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    60V

  • 最大功率耗散

    3W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    unknown

  • 额定电流

    1.3A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G10

  • 资历状况

    不合格

  • 通道数量

    2

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    3W

  • 接通延迟时间

    8 ns

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 上升时间

    25ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 下降时间(典型值)

    16 ns

  • 连续放电电流(ID)

    2A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    2A

  • 漏源击穿电压

    60V

  • 输入电容

    350pF

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    450mOhm

  • 最大rds

    330 mΩ

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    30 pF

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    含铅

0个相似型号

技术文档: Diodes Incorporated ZDM4306NTA.

右边的3个型号有着和Diodes Incorporated & ZDM4306NTA相似的参数规格。

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ZDM4306NTA拓展信息

DMC2038LVT-7
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DMN65D8LDW-7
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Diodes Incorporated

DMG6602SVT-7
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Diodes Incorporated

DMC2400UV-7
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Diodes Incorporated

DMP2240UDM-7
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Diodes Incorporated

DMN6040SSD-13
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DMN63D8LDW-7
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DMN2016UTS-13
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Diodes Incorporated

DMG6601LVT-7
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Diodes Incorporated

DMN3033LSD-13
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Diodes Incorporated

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