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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.585337
10
¥9.986168
100
¥9.420915
500
¥8.88765
1000
¥8.384582
Diodes Incorporated ZXMN2AMCTA
- 收藏
- 对比
ZXMN2AMCTA
671-ZXMN2AMCTA
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-VDFN Exposed Pad
大陆
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Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ZXMN2AMCTA详情
Diodes Incorporated ZXMN2AMCTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-VDFN Exposed Pad
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.7A Ta
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
1.6 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2010
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
1.7W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.45W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
2.3 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
120m Ω @ 4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
299pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3.1nC @ 4.5V
上升时间
2.6ns
下降时间(典型值)
1.3 ns
连续放电电流(ID)
3.7A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
13A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXMN2AMCTA拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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