注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.513149
10
¥1.427499
100
¥1.346697
500
¥1.27047
1000
¥1.198555
Diodes Incorporated ZXTD4591E6TA
- 收藏
- 对比
ZXTD4591E6TA
671-ZXTD4591E6TA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SOT-23-6
大陆
立即发货

DIODES INC. - ZXTD4591E6TA - Bipolar Transistor Array, Dual, NPN, PNP, 60 V, 1.1 W, 1 A, 100 hFE, SOT-23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ZXTD4591E6TA详情
Diodes Incorporated ZXTD4591E6TA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6
引脚数
6
质量
14.996898mg
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
SOT26 (SC74R)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
600mV
Number of Elements
2
hFEMin
100
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
1.7W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
1A
频率
150MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
ZXTD4591
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率耗散
1.1W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
150MHz
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 500mA 5V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A
转换频率
150MHz
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.4mm
长度
3mm
宽度
1.75mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXTD4591E6TA拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated









哦! 它是空的。