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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 ZXTD4591E6TA
ZXTD4591E6TA
ZXTD4591E6TA

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Diodes Incorporated ZXTD4591E6TA

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型号

ZXTD4591E6TA

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-ZXTD4591E6TA

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

SOT-23-6

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODES INC. - ZXTD4591E6TA - Bipolar Transistor Array, Dual, NPN, PNP, 60 V, 1.1 W, 1 A, 100 hFE, SOT-23

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ZXTD4591E6TA
ZXTD4591E6TA Diodes Incorporated DIODES INC. - ZXTD4591E6TA - Bipolar Transistor Array, Dual, NPN, PNP, 60 V, 1.1 W, 1 A, 100 hFE, SOT-23

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ZXTD4591E6TA详情

技术参数

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型号对比

Diodes Incorporated ZXTD4591E6TA重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-23-6

  • 引脚数

    6

  • 质量

    14.996898mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 制造商包装标识符

    SOT26 (SC74R)

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    60V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    600mV

  • Number of Elements

    2

  • hFEMin

    100

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    1.7W

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 额定电流

    1A

  • 频率

    150MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    ZXTD4591

  • 极性

    NPN, PNP

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    1.1W

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 增益带宽积

    150MHz

  • 晶体管类型

    NPN, PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    60V

  • 最大集电极电流

    1A

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    100 @ 500mA 5V

  • 最大集极截止电流

    100nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A

  • 转换频率

    150MHz

  • 最大击穿电压

    60V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    80V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5V

  • 最大结点温度（Tj）

    150°C

  • 高度

    1.4mm

  • 长度

    3mm

  • 宽度

    1.75mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: Diodes Incorporated ZXTD4591E6TA.

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AS
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