注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
EPC2110ENGRT
品牌
EPC
utmel 编号
791-EPC2110ENGRT
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
封装
Die
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
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EPC2110ENGRT详情
技术参数
PDF文档
型号对比
EPC EPC2110ENGRT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
包装/外壳
供应商器件包装
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.4A
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
eGaN®
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Common Source
Rds On(Max)@Id,Vgs
60mOhm @ 4A, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 700μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
80pF @ 60V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.8nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
120V
连续放电电流(ID)
输入电容
80pF
场效应管特性
GaNFET (Gallium Nitride)
最大rds
60 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
技术文档: EPC EPC2110ENGRT.
右边的3个型号有着和EPC & EPC2110ENGRT相似的参数规格。
Surface Mount
3.4 A
Toshiba Semiconductor and Storage
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
4.1 A
4.1A (Ta)
ON Semiconductor
8-PowerWDFN
4.4 A
4.4A (Ta)
SOT-23-3 Flat Leads
100V
3.5 A
3.5A (Ta)
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EPC2110ENGRT拓展信息
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公司资质
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型号:EPC2221
封装:Die
品牌:EPC
¥22.474207
型号:EPC2111
¥41.087136
型号:EPC2102
¥85.103958
型号:EPC2100
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型号:EPC2100ENGRT
库存:0
型号:EPC2102ENGRT
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