Everspin Technologies Inc. MR0A16AMYS35
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MR0A16AMYS35
822-MR0A16AMYS35
存储器
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
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NVRAM 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM
--最小包装量--
MR0A16AMYS35详情
Everspin Technologies Inc. MR0A16AMYS35重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
引脚数
44
Memory Types
Non-Volatile
Usage Level
Automotive grade
操作温度
-40°C~125°C TA
包装
Tube
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
44
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.71
最大功率耗散
600mW
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
44
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
1Mb 64K x 16
工作电源电流
55mA
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
RAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
64KX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
35ns
记忆密度
1048576 bit
筛选水平
AEC-Q100
长度
18.41mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MR0A16AMYS35拓展信息
Everspin Technologies Inc.
Everspin Technologies Inc.
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