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技术文档
型号
G08P06D3
品牌
GOFORD
utmel 编号
983-G08P06D3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
8-PowerVDFN
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
P-Channel Trench MOSFET
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G08P06D3详情
技术参数
GOFORD G08P06D3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
供应商器件包装
8-DFN (3.15x3.05)
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
Goford Semiconductor
Power Dissipation (Max)
40W (Tc)
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
52mOhm @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2972 pF @ 30 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
60 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
G08P06D3拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:G700P06T
封装:TO-220-3
品牌:GOFORD
库存:0
型号:GT080N10TI
型号:G60N10K
封装:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
型号:G700P06H
封装:0505 (1313 Metric)
型号:GT019N04D5
封装:20-VFQFN Exposed Pad
型号:G050N06LL
封装:SOT-23-6
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