Infineon BC846B

底架

表面贴装

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

600 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65 V

hFEMin

200

RoHS

Compliant

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

330 mW

极性

NPN

电压

65 V

电流

2 A

功率耗散

330 mW

集电极发射器电压(VCEO)

650 mV

最大集电极电流

100 mA

最高频率

250 MHz

集电极基极电压(VCBO)

80 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

宽度

1.3 mm

高度

1 mm

长度

2.9 mm

达到SVHC

Unknown