Infineon BC857BWE6433XT

Name: BC857BWE6433XT
Brand: Infineon
SKU: 1211-BC857BWE6433XT
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

型号

BC857BWE6433XT

品牌

utmel 编号

1211-BC857BWE6433XT

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BC857BWE6433XT datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from Infineon stock available at utmel

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BC857BWE6433XT Infineon

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BC857BWE6433XT详情

技术参数

Infineon BC857BWE6433XT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
材料

Si
EU RoHS

Compliant
ECCN (US)

EAR99
HTS

8541.21.00.75
Category

双极小信号
Number of Elements per Chip

1
Maximum Collector Base Voltage (V)

50
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

45
Maximum Emitter Base Voltage (V)

5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.85(Typ)@5mA@100mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

[email protected]@10mA|0.65@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A)

0.1
Minimum DC Current Gain

220@2mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW)

250
Maximum Transition Frequency (MHz)

250(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)

-65
Maximum Operating Temperature (°C)

150
Supplier Temperature Grade

汽车
包装

卷带
零件状态

Unconfirmed
类型

PNP
配置

Single