参数名
参数值
参数名
参数值
包装/外壳
0805 (2012 Metric)
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
0805
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Base Product Number
X4C45J1
厂商
TTM Technologies, Inc.
Product Status
活跃
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Pd - Power Dissipation
330 mW
Transistor Polarity
PNP
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
380
Collector-Emitter Saturation Voltage
200 mV
Unit Weight
0.000282 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
45000
Mounting Styles
SMD/SMT
Gain Bandwidth Product fT
250 MHz
Part # Aliases
BCX71KE6327XT SP000010632 BCX71KE6327HTSA1
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
Maximum DC Collector Current
100 mA
DC Current Gain hFE Max
630
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
45 V
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
系列
Xinger®
包装
MouseReel
操作温度
150°C (TJ)
应用
Cellular
子类别
Transistors
技术
Si
频率
3.6GHz ~ 5.1GHz
配置
Single
功率 - 最大
5W
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
380 @ 2mA, 5V
最大集极截止电流
20nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
550mV @ 1.25mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
45 V
插入损耗
0.5dB
频率转换
250MHz
隔离
24dB
集电极基极电压(VCBO)
45 V
连续集电极电流
100 mA
回报损失
20dB
耦合器类型
Standard
耦合因素
4 ± 0.5dB
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
长度
2.9 mm