BSR302N L6327
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Infineon BSR302N L6327

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型号

BSR302N L6327

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BSR302N L6327

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A Automotive 3-Pin SC-59 T/R

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BSR302N L6327
BSR302N L6327 Infineon Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A Automotive 3-Pin SC-59 T/R

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BSR302N L6327详情

Infineon BSR302N L6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    Panel Mount, Through Hole

  • 表面安装

    YES

  • 越来越多的功能

    Flange

  • 外壳材料

    Aluminum

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    零售包装

  • Primary Material

    Metal

  • 厂商

    Glenair

  • Product Status

    活跃

  • Contact Materials

    Copper Alloy

  • Contact Finish Mating

    Gold

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BSR302NL6327

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    5.77

  • Part Package Code

    SC-59

  • Drain Current-Max (ID)

    3.7 A

  • 操作温度

    -65°C ~ 175°C

  • 系列

    806

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • 终端

    Solder

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 连接器类型

    Receptacle, Female Sockets

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 颜色

    橄榄色

  • 附加功能

    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 紧固类型

    Threaded

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 端子位置

    DUAL

  • 方向

    A

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 外壳完成

    橄榄色镉

  • 引脚数量

    3

  • 外壳尺寸-插入

    14-20A

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    3.7 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.023 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.5 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    43 pF

  • 特征

    Ground

0个相似型号

技术文档: Infineon BSR302N L6327.

BSR302N L6327拓展信息

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