Infineon IKD06N60RF

包装/外壳

TO-252-3

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V

Pd - Power Dissipation

100 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.65 V

Unit Weight

0.011743 oz

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Continuous Collector Current at 25 C

12 A

Mounting Styles

SMD/SMT

Part # Aliases

IKD6N6RFXT SP000939364 IKD06N60RFATMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Tradename

TRENCHSTOP

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

16 ns

Operating Temperature-Min

-40 °C

Turn-off Time-Nom (toff)

150 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IKD06N60RF

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

1.58

系列

Trenchstop RC

包装

切割胶带

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Tin (Sn)

子类别

IGBTs

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

IGBT晶体管

JEDEC-95代码

TO-252

最大耗散功率(Abs)

100 W

集电极电流-最大值(IC)

12 A

集电极-发射器电压-最大值

600 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

VCEsat-最大值

2.5 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.7 V

产品类别

IGBT晶体管

宽度

6.22 mm

高度

2.41 mm

长度

6.73 mm