Infineon IKW75N60H3

工厂交货时间

1 Week

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

供应商器件包装

PG-TO247-3-41

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

80 A

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Test Conditions

400V, 75A, 5.2Ohm, 15V

Risk Rank

1.61

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

IKW75N60H3

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

175 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

系列

TRENCHSTOP™

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

子类别

绝缘栅BIP晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

428 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

最大耗散功率(Abs)

428 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 75A

集电极电流-最大值(IC)

80 A

IGBT类型

沟渠现场停车

集电极-发射器电压-最大值

600 V

闸门收费

470 nC

集极脉冲电流（Icm）

225 A

Td（开/关）@25°C

31ns/265ns

开关能量

3mJ (on), 1.7mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.7 V

反向恢复时间(trr)

190 ns