IPC218N04N3
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Infineon IPC218N04N3

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型号

IPC218N04N3

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IPC218N04N3

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Transistors MOSFET N-Ch 40V 1mA D2PAK-6

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IPC218N04N3
IPC218N04N3 Infineon IGBT Transistors MOSFET N-Ch 40V 1mA D2PAK-6

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IPC218N04N3详情

Infineon IPC218N04N3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    UNCASED CHIP, R-XXUC-N

  • Package Style

    UNCASED CHIP

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    IPC218N04N3

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    5.71

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    UNSPECIFIED

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-XXUC-N

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.05 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    40 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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IPC218N04N3拓展信息

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