IRGP4069D-EPBF详情
Infineon IRGP4069D-EPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
包装/外壳
TO-247-3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.85V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
268W
JESD-609代码
e3
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
镍外哑光锡
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
峰值回流焊温度(摄氏度)
250
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSFM-T3
上升时间-最大值
42ns
元素配置
Single
功率耗散
268W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.85V
最大集电极电流
76A
反向恢复时间
120 ns
JEDEC-95代码
TO-247AD
接通时间
78 ns
关断时间-标准值(toff)
188 ns
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5V
最大下降时间 (tf)
54ns
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IRGP4069D-EPBF拓展信息
Infineon Technologies
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