AUIRF8736M2TR
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Infineon Technologies AUIRF8736M2TR

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型号

AUIRF8736M2TR

utmel 编号

1211-AUIRF8736M2TR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

DirectFET™ Isometric M4

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 40V 137A AUTO

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AUIRF8736M2TR
AUIRF8736M2TR Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 137A AUTO

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AUIRF8736M2TR详情

Infineon Technologies AUIRF8736M2TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    DirectFET™ Isometric M4

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    27A Ta 137A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    2.5W Ta 63W Tc

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    2014

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    4.8Ohm

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 配置

    Single

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1.9m Ω @ 85A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.9V @ 150μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    6867pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    204nC @ 10V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    137A

  • 漏源击穿电压

    40V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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右边的3个型号有着和Infineon Technologies & AUIRF8736M2TR相似的参数规格。

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AUIRF8736M2TR拓展信息

IRFR6215TRPBF
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IRFR5505TRPBF
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IRLL014NTRPBF
IRLL014NTRPBF

Infineon Technologies

IRFR220NTRPBF
IRFR220NTRPBF

Infineon Technologies

IRFP260NPBF
IRFP260NPBF

Infineon Technologies

IRFR9024NTRPBF
IRFR9024NTRPBF

Infineon Technologies

IRLR2905TRPBF
IRLR2905TRPBF

Infineon Technologies

IRFR9120NTRPBF
IRFR9120NTRPBF

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IRLR024NTRPBF
IRLR024NTRPBF

Infineon Technologies

IRLL2705TRPBF
IRLL2705TRPBF

Infineon Technologies

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