Infineon Technologies AUIRF9952QTR

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.5A 2.3A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2011

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 2.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

190pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 10V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

2.3A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.1Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16A

雪崩能量等级（Eas）

44 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1 V

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant