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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.630423
10
¥1.538136
100
¥1.451073
500
¥1.368937
1000
¥1.291445
Infineon Technologies BC817K25E6433HTMA1
- 收藏
- 对比
BC817K25E6433HTMA1
1211-BC817K25E6433HTMA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
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Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC817K25E6433HTMA1详情
Infineon Technologies BC817K25E6433HTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
最大功率耗散
500mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
基本部件号
BC817
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE
功率 - 最大
500mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
700mV
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 500mA
转换频率
170MHz
最大击穿电压
45V
频率转换
170MHz
集电极基极电压(VCBO)
50V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BC817K25E6433HTMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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