Infineon Technologies BC818K40E6327HTSA1
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BC818K40E6327HTSA1
1211-BC818K40E6327HTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
1最小包装量--
BC818K40E6327HTSA1详情
Infineon Technologies BC818K40E6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
25V
Collector-Emitter Saturation Voltage
700mV
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
500mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
170MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BC818
元素配置
Single
功率耗散
500mW
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
700mV
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
250 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 500mA
转换频率
170MHz
最大击穿电压
25V
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
900μm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BC818K40E6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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