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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.201753
10
¥0.190333
100
¥0.17956
500
¥0.169396
1000
¥0.159807
Infineon Technologies BC847CE6433HTMA1
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- 对比
BC847CE6433HTMA1
1211-BC847CE6433HTMA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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¥
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BC847CE6433HTMA1详情
Infineon Technologies BC847CE6433HTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
45V
最大功率耗散
330mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
100mA
频率
250MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BC847
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率耗散
330mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
600mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
420 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 5mA, 100mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
45V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BC847CE6433HTMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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