Infineon Technologies BC847CWH6433XTMA1

工厂交货时间

26 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

低噪音

最大功率耗散

250mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

基本部件号

BC847

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE

功率 - 最大

250mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

600mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

420 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 100mA

转换频率

250MHz

频率转换

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

RoHS状态

ROHS3 Compliant