Infineon Technologies BC847PNH6327XTSA1

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

650mV

Number of Elements

2

hFEMin

200

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

250mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

频率

250MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BC847PN

参考标准

AEC-Q101

极性

NPN, PNP

功率耗散

250mW

晶体管应用

AMPLIFIER

无卤素

无卤素

晶体管类型

NPN, PNP

集电极发射器电压(VCEO)

650mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

45V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

高度

800μm

长度

2mm

宽度

1.25mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅