Infineon Technologies BC849CE6327HTSA1

工厂交货时间

4 Weeks

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

触点镀层

Tin

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

已出版

2001

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低噪音

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

330mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BC849

资历状况

不合格

配置

SINGLE

电压

30V

电流

1A

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

600mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

420 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 100mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

30V

频率转换

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅